1746-IC16 这就是AB产品
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有几种解决方案可同时驱动半桥晶体管的 和低端。关于传 统的电平转换高压驱动器有一个传说,就是 简单的单芯片方 案仅广泛用于硅基 MOSFET。在一些 产品(例如,服务器电 源)中,使用 ADuM4223 双通道隔离驱动器来驱动 MOS,以实现紧 凑型设计。但是采用 GaN 时,电平转换解决方案存在一些缺点, 如传输延迟很大,共模瞬变抗扰度(CMTI)有限,用于高开关频率 的效果也不是很理想。与单通道驱动器相比,双通道隔离驱动 器缺少布局灵活性。同时,也很难配置负偏压。表 1 对这些方法 做了比较。
表 1. 驱动 GaN 半桥晶体管不同方法的比较
图 2. 在 isoPower 器件中实现 UART 隔离和 PFC 部分隔离,需要采用 iso 技术及其要求。
对于 GaN 晶体管,可使用单通道驱动器。ADuM3123 是典型的单通 道驱动器,可使用齐纳二极管和分立电路提供外部电源来提供 负偏压(可选),如图 3 所示。
图 3. 用于 GaN 晶体管的单通道、隔离式 isoCoupler 驱动器。
新趋势:定制的隔离式 GaN 模块
目前,GaN 器件通常与驱动器分开封装。这是因为 GaN 开关和隔 离驱动器的制造工艺不同。未来,将 GaN 晶体管和隔离栅驱动器 集成到同一封装中将会减少寄生电感,从而进一步增强开关性 能。一些主要的电信供应商计划自行封装 GaN 系统,构建单独的 定制模块。从长远来看,用于 GaN 系统的驱动器也许能够集成到 更小的隔离器模块中。如图 4 所示,ADuM110N (等微型单通道驱动 器(低传输延迟、高频率)和 isoPower ADuM5020 设计简单,可支 持这一应用趋势。
图 4. iCouplerADuM110N 和 isoPowerADuM5020 非常适合 Navitas GaN 模块应用。
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