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D即电子耦合组件（chargedcoupleddevice），它就像传统相机的底片一样的感光系统，是感应光线的电路装置，可以将它想象成一颗颗微小的感应粒子，铺满在光学镜头后方，当光线与图像从镜头透过、投影D表面时D就会产生电流，将感应到的内容转换成数码资料储存在相机内部的闪速存储器或内置硬盘卡内D像素数目越多、单一像素尺寸越大，收集到的图像就会越清晰。

D图像传感器由微镜头、滤色片、感光元件三层组成D图像传感器的每一个感光元件由一个光电二极管和控制相邻电荷的存储单元组成光电管用于捕捉光子用，它将光子转化成电子，收集到的光线越强，产生的电子数量就越多，而电子信号越强则越容易被记录且不容易丢失，图像细节则更加丰富D传感器是一种特殊的半导体材料，有大量独立的感光二极管组成，一般按照矩阵形式排列，相当月传统相机的胶卷。

D传感器有两种， 种是特D传感器，如红D芯片（红外焦平面阵列器件）、高灵敏度背照式和电子轰击D、ED等，另外还有大靶面如2048*2048、4096*4096可见D传感器、宽光谱范围（紫外线——可见光——近红外光——3-5um中红外光——8-14um远红外光）焦平面阵列传感器等。目前已有商业化产品，并广泛应用于各个领域。第二种是通用型或消费D传感器在许多方面都有较大地进展，总的方向是提D摄像机的综合性能。

D传感器具有以下优点：高解析度、低杂讯高灵敏度、动态范围广、良好的线性特性曲线、大面积感光、低影像失真、体积小、重量轻、低耗电，不受磁场影响、电荷传输效率佳、可大批量生产，品质稳定，坚固、不易老化，使用方便及易保养等优点。但随D应用范围的扩大，其缺点逐渐暴露：首先D芯片技术工艺复杂，不能与标准的工艺兼容。其次D技术芯片需要的电压功耗大，因D技术芯片价格昂贵且使用不便。

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由D工艺复杂等缺点，CMOS图像传感器逐渐开始发展起来。它的工作原理是：首先，外界光照射像素阵列，发生光电效应，在像素单元内产生相应的电荷。行选择逻辑单元根据需要，选通相应的行像素单元。行像素单元内的图像信号通过各自所在列的信号总线传输到对应的模拟信号处理单元以及A\D转换器，转换成数字图像信号输出。其中的行选择逻辑单元可以对像素阵列逐行扫描也可隔行扫描。行选择逻辑单元与列选择逻辑单元配合使用可以实现图像的窗口提取功能。模拟信号处理单元的主要功能是对信号进行放大处理，并且提高信噪比。另外，为了获得质量合格的实用摄像头，芯片中必须包含各种控制电路，如曝光时间控制、自动增益控制等。为了使芯片中各部分电路按规定的节拍动作，必须使用多个时序控制信号。为了便于摄像头的应用，还要求该芯片能输出一些时序信号，如同步信号、行起始信号、场起始信号等。

互补金属氧化物场效应管即CMOS图像传感器，该传感器芯片采用了CMOS工艺，可将图像采集单元和信号处理单元集成到同一块芯片上。由于具有上述特点，它适合大规模批量生产，适合于要求小尺寸、低价格、摄像质量无过高要求的应用，如保安用小型、微型相机、手机、计算机网络视频会议系统、无线手持式视频会议系统、条形码扫描器、传真机、玩具、生物显微镜计数、某些车用摄像系统等大量商用领域。

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